post

پاورپوینت: مبانی، کاربردها و روش تحلیل آزمون موت-شاتکی

  • در کنار روشهای الکتروشیمیایی مانند طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی (EIS) و طیف سنجی فوتوالکترون اشعه ایکس (XPS)، روش موت – شاتکی می تواند اطلاعات مفیدی را درباره رفتار نیمه هادی لایه های رویین ارایه دهد. این روش ما را قادر می سازد تا خواصی نیمه هادی لایه ها را مانند نوع نیمه هادی (نوع-n و یا نوع – P) و همچنین چگالی عیوب، که بسیار به ساختار و ترکیب شیمیایی لایه حساسی است، را تعیین کنیم. همچنین یکی از مهمترین مزیتهای این روش، استفاده از آن به صورت درجا است که باعث می شود تا تغییرات مختلف به وجود آمده در خواص الکترونی لایه های رویین به طور کامل ثبت شود. براي رفتار نوع-n ،شيب به طور معکوس با چگالي دهنده هاي الکترون  متناسب است. براي رفتار نوع-p ،شيب به طور معکــوس با چگالـــي گيــرنــده هـــاي الــکتـــرون متناسب است.
  • در فایل زیر در قالب پاورپوینت به طور کامل به بررسی اصول، مبانی و کاربردهای آزمون موت-شاتکی (mott-schottky) پرداخته شده است. سر فصل عناوین ذکر شده در این فایل عبارتند از:
  • *فصل مشترک و لایه دوگانه
  • *لایه دوگانه الکتریکی
  • *خازن های لایه دوگانه
  • *بررسی لایه بار فضایی
  • *ظرفیت خازنی لایه بار فضایی
  • *تعیین ظرفیت خازنی لایه بار فضایی (لایه انباشته)
  • *تعیین ظرفیت خازنی لایه بار فضایی (لایه تخلیه)
  • *تعیین ظرفیت خازنی لایه بار فضایی (لایه وارون)
  • *تعیین ظرفیت خازنی لایه بار فضایی (لایه عمیقا تخلیه شده)
  • *معادلات موت-شاتکی
  • *آزمون موت-شاتکی
  • *منحنی های موت-شاتکی
  • *تجزیه و تحلیل منحنی های موت-شاتکی
  • *تحقیقات بر روی رفتار الکترونی لایه های رویین
  • *نتیجه گیری
  • جهت خرید این فایل با ایمیل مدیر وبسایت تماس گرفته و یا از قسمت زیر اقدام فرمایید.

     

  • برای دانلود  تنظیمات نرم افزار نوا (NOVA) جهت استخراج داده های موت شاتکی و تحلیل داده های آن اینجا کلیک نمایید.

  • تذکر: هرگونه انتشار این مطلب در فضای مجازی پیگرد قانونی دارد